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J-GLOBAL ID：200903067596993730
III-V族窒化物系半導体デバイス及びその製造方法、III-V族窒化物系半導体基板の製造方法、III-V族窒化物系半導体基板のロット
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003383711
Publication number (International publication number)：2005150287
Application date： Nov. 13, 2003
Publication date： Jun. 09, 2005
Summary：
【課題】デバイス特性に優れ、生産性の良いIII-V族窒化物系半導体デバイス及びその製造方法、並びに、それに用いられるIII-V族窒化物系半導体基板の製造方法、III-V族窒化物系半導体基板のロットを提供する。【解決手段】チップ形状をなしていると共に、III-V族窒化物系半導体の基板上に、デバイス構造のエピタキシャル層を有し、該エピタキシャル層の少なくとも一組の平行な側面が劈開面であるIII-V族窒化物系半導体デバイスにおいて、前記基板は、基板表面に最も近い結晶面である低指数面が、基板表面に対して傾いてオフが付いていると共に、前記低指数面の傾きの方向であるオフ方向が、当該基板の等価な劈開面の内の1つの面と平行となっており、前記エピタキシャル層の劈開面は、前記基板のオフ方向と平行な前記基板の劈開面と同一面にある。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
チップ形状をなしていると共に、III-V族窒化物系半導体の基板上に、デバイス構造のエピタキシャル層を有し、該エピタキシャル層の少なくとも一組の平行な側面が劈開面であるIII-V族窒化物系半導体デバイスにおいて、
前記基板は、基板表面に最も近い結晶面である低指数面が、基板表面に対して傾いてオフが付いていると共に、前記低指数面の傾きの方向であるオフ方向が、当該基板の等価な劈開面の内の1つの面と平行となっており、
前記エピタキシャル層の劈開面は、前記基板のオフ方向と平行な前記基板の劈開面と同一面にあることを特徴とするIII-V族窒化物系半導体デバイス。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (3)：
5F073CA02
, 5F073CB01
, 5F073DA32
Cited by applicant (6)
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