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J-GLOBAL ID：200903067703288041

半導体発光装置およびその製造方法

Inventor：
鴨下 昌一

About 鴨下 昌一

, 
若林 直樹

About 若林 直樹


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 倉内 義朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000367494
Publication number (International publication number)：2002170998
Application date： Dec. 01, 2000
Publication date： Jun. 14, 2002
Summary：
【要約】【課題】 実装性が良く、さらに光の取り出し効率の良い側面発光型の半導体発光装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 電気的に絶縁性を有する基板と、この基板上に形成された2つの電極部と、1つの電極部上に搭載され、他の電極部に金属線を介してワイヤボンドされた発光素子チップと、この発光素子チップおよび金属線表面を覆う透明樹脂部と、この透明樹脂部を覆う遮光性および反射性を有する樹脂部とから構成されており、製造過程において、隣り合う2つの発光素子チップは1つ透明樹脂部で覆われており、遮光性および反射性を有する樹脂部形成後に2つの発光素子チップを個々に切り離すために透明樹脂部が2分割されており、この分割面が発光面となっているものである。
Claim (excerpt)：
電気的に絶縁性を有する基板と、この基板上に形成された2つの電極部と、1つの電極部上に搭載され、他の電極部に金属線を介してワイヤボンディングされた発光素子チップと、この発光素子チップおよび金属線表面を覆う透明樹脂部と、この透明樹脂部を覆う遮光性および反射性を有する樹脂部とから構成されており、前記透明樹脂部の一側部が外部に露出した発光面に形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (5)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (4)：
H01L 33/00 N ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/28 D ,  H01L 23/30 B
F-Term (28)：
4M109AA02 ,  4M109BA01 ,  4M109CA04 ,  4M109CA10 ,  4M109CA21 ,  4M109EC11 ,  4M109EC12 ,  4M109GA01 ,  5F041AA37 ,  5F041AA41 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA13 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DA58 ,  5F041DA81 ,  5F041DA92 ,  5F041DB09 ,  5F041FF11 ,  5F061AA02 ,  5F061CA04 ,  5F061CA10 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061FA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (22)
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