Pat
J-GLOBAL ID：200903067785802716

オーミック電極の形成方法

Inventor：
木村 徳治

About 木村 徳治


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 服部 毅巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002283295
Publication number (International publication number)：2004119821
Application date： Sep. 27, 2002
Publication date： Apr. 15, 2004
Summary：
【課題】均一性の良い合金からなる低抵抗なオーミック電極を形成する。【解決手段】オーミック電極として用いる複数種の金属を選定し(ステップS1)、それらの金属で形成する合金を特定する(ステップS2)。この特定した合金の組成比またはその組成比に近似した比に、アニール前に積層する金属の原子数比を設定し(ステップS3)、その原子数比となるような膜厚比で各金属を積層形成する(ステップS4)。次いで、アニールを行い(ステップS5)、積層した金属を合金化する。これにより、均一性の良い合金を形成することができ、低抵抗なオーミック電極を形成することが可能になる。さらに、その合金の形成に最適なアニール温度を設定することができるので、半導体プロセスの効率化や歩留まりの向上を図れる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体層上に積層した複数種の金属をアニールによって合金化することによって形成され、半導体装置の電極として用いられるオーミック電極の形成方法において、 アニール前に積層する前記複数種の金属の原子数比を、アニール後に前記複数種の金属から形成する合金の組成比またはそれに近似する比に設定し、 前記複数種の金属を前記原子数比となる膜厚比で前記半導体層上に積層して形成し、 前記合金を形成可能な温度でアニールする、 ことを特徴とするオーミック電極の形成方法。
IPC (5)：
H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (5)：
H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/80 F ,  H01L29/80 H ,  H01L29/50 J
F-Term (17)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104GG12 ,  4M104HH16 ,  5F102FA03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開昭64-020616
  • 電極形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-127566   Applicant：ソニー株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-196749   Applicant：日本電気株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM