Pat

J-GLOBAL ID：200903070756922282

窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法

Inventor： 梅野 正義 ,  江川 孝志 ,  石川 博康 ,  阿久津 仲男 ,  松本 功
Applicant, Patent owner： 名古屋工業大学長 ,  日本酸素株式会社
Agent (1)： 木戸 一彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001059153
Publication number (International publication number)：2002261326
Application date： Mar. 02, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】 プラズマエッチングにより窒化ガリウム系化合物半導体に生じたダメージを回復し、良好な電気特性を有する窒化ガリウム系化合物半導体素子を製造できる方法を提供する。【解決手段】 半導体層の一部を塩素又は三塩化ホウ素等の反応性ガスを含むプラズマ中でエッチングした後、該エッチングにより露出した半導体層を不活性ガスプラズマに曝した後、該半導体層に電極を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層し、該積層された半導体層の一部をプラズマエッチングし、該エッチングされて露出した電極コンタクト半導体層に電極を形成する窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法であって、前記半導体層の一部を塩素又は三塩化ホウ素等の反応性ガスを含むプラズマ中でエッチングした後、該エッチングにより露出した半導体層を不活性ガスプラズマに曝した後、該半導体層に電極を形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (8)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/737 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (7)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/302 N ,  H01L 29/72 H ,  H01L 29/80 F

F-Term (73)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD22 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD71 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF03 ,  4M104FF17 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104GG04 ,  4M104GG06 ,  4M104GG12 ,  4M104HH11 ,  4M104HH15 ,  4M104HH17 ,  5F003BA92 ,  5F003BC08 ,  5F003BE90 ,  5F003BH08 ,  5F003BH99 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BP12 ,  5F003BP32 ,  5F003BZ01 ,  5F003BZ03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA17 ,  5F004DA22 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB19 ,  5F004EB01 ,  5F004FA01 ,  5F004FA08 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA12 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CA99 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GR04 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 3族窒化物半導体のドライエッチング方法及び電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-203130   Applicant：豊田合成株式会社
• 3-5族化合物半導体用電極の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-150311   Applicant：住友化学工業株式会社
• 半導体発光装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-004719   Applicant：旭化成工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体のエッチング及び電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-032658   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所, 新技術事業団
• 特開平3-108779