表面形状認識用半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000017967
Publication number (International publication number)：2001208509
Application date： Jan. 24, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】指などの対象物の押圧時における静電気の放電と、形状認識面のクラックの発生による装置の破壊を防止し、信頼性を向上することができる表面形状認識用半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板に形成され、電荷を蓄積する複数個のセンサパッド電極31と、前記センサパッド電極31の下部に形成され、前記センサパッド電極31のそれぞれに蓄積された電荷を読み出す複数個の半導体素子と、前記センサパッド電極31、および前記センサパッド電極31の間隙部を被覆して形成された第1保護膜21と、前記センサパッド電極31の間の領域における前記第1保護膜21の表面に形成された溝Vと、前記溝V内に高さが溝の深さと略同じとなるように形成された一定電位に固定される除電電極32aと、前記第1保護膜21および前記除電電極32aを被覆して形成された第2保護膜22とを有する。

Claim (excerpt)：

基板に形成され、電荷を蓄積する複数個の第1電極と、前記第1電極の下部に形成され、前記第1電極のそれぞれに蓄積された電荷を読み出す複数個の半導体素子と、前記第1電極、および前記第1電極の間隙部を被覆して形成された第1保護膜と、前記第1電極の間の領域における前記第1保護膜の表面に形成された溝と、前記溝内に高さが溝の深さと略同じとなるように形成された一定電位に固定される第2電極と、前記第1保護膜および前記第2電極を被覆して形成された第2保護膜とを有する表面形状認識用半導体装置。

IPC (5)：

G01B 7/28 , G01L 5/00 101 , G06T 1/00 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (4)：

G01B 7/28 A , G01L 5/00 101 Z , G06F 15/64 G , H01L 27/08 102 Z

F-Term (35)：

2F051AA00 , 2F051AB06 , 2F063AA41 , 2F063AA50 , 2F063BA29 , 2F063BA30 , 2F063BB01 , 2F063BB02 , 2F063BD05 , 2F063BD06 , 2F063CA17 , 2F063CA19 , 2F063CA28 , 2F063CA29 , 2F063DD07 , 2F063HA04 , 2F063HA09 , 2F063HA10 , 2F063HA11 , 2F063HA20 , 5B047AA25 , 5B047BA02 , 5B047BB04 , 5F048AA02 , 5F048AB00 , 5F048AB10 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BF00 , 5F048BF02 , 5F048BF03 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BF16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

表面形状認識用センサおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-135036 Applicant：日本電信電話株式会社
特許第938131号
特開平4-231803

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