Pat
J-GLOBAL ID：200903067885563425

スルホニウム塩の製造方法

Inventor：
パク ジォヒェオン

About パク ジォヒェオン

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セオ ドングチュル

About セオ ドングチュル

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パク スンイ

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キム セオングユ

About キム セオングユ


Applicant, Patent owner：
コレア クムホ ぺトロケミカル シーオー エルティーディー

About コレア クムホ ぺトロケミカル シーオー エルティーディー


Agent (1)： 池内 寛幸 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998266991
Publication number (International publication number)：2000034274
Application date： Sep. 21, 1998
Publication date： Feb. 02, 2000
Summary：
【要約】 【課題】ポリマ重合時、光酸開始剤又はラジカル剤及び有機化合物の保護基を離脱させる光酸発生剤、特に半導体材料に用いられる化学増幅形フォトレジストにおいて、光酸発生剤として有用である新規なスルホニウム塩及びその製造方法を提供する。 【解決手段】グリニャール試薬を用いずに無水パーフルオロアルカンスルホン酸(perfluoroalkanesulfonec anhydride)を用いて1段階反応としてスルホキシド(sulfoxide)化合物と芳香族化合物を反応させることにより、下記一般式(化1、ただしRa,Rb及びRcはそれぞれ独立的にアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アリル基、芳香族基又はベンジル基で、nは0〜20の整数である)で表示されるスルホニウム塩を得る。【化1】
Claim (excerpt)：
下記一般式(化1)で表示されるスルホニウム塩。【化1】(ただし、Ra,Rb及びRcはそれぞれ独立的にアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アリル基、下記式(化2)、【化2】又はベンジル基で、R1〜R48は独立的に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アリル基、アリール基、ベンジル基、ヒドロキシ基、チオール基、ハロゲン原子、エステル基、アルデヒド基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、フェノキシ基、チオフェノキシ基又はニトリル基で、nは0〜20の整数である。)
IPC (3)：
C07C381/12 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029
FI (3)：
C07C381/12 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/029
F-Term (13)：
2H025BE00 ,  2H025BJ10 ,  4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AA03 ,  4H006AB40 ,  4H006AB76 ,  4H006AB92 ,  4H006TN10 ,  4H006TN30 ,  4H006TN40 ,  4H006TN60 ,  4H006TN90
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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