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J-GLOBAL ID：200903067946516077

ドーパント前駆体を用いた製造方法

Inventor：
トッド マイケル エイ.

About トッド マイケル エイ.


Applicant, Patent owner：
エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド

About エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド


Agent (5)： 三枝 英二 ,  舘 泰光 ,  眞下 晋一 ,  松本 公雄 ,  立花 顕治
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002565340
Publication number (International publication number)：2004525509
Application date： Feb. 12, 2002
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：
シリコン合金およびドープシリコン膜が、III族およびV族の原子の供給源としてSiを含有する化学前駆体を用いた化学気相成長法およびイオン注入法によって調製される。好ましいドーパント前駆体には、(H3Si)3-xMRx、(H3Si)3N、および(H3Si)4N2(ここで、RはHまたはDであり、xは0、1または2であり、MはB、P、AsおよびSbからなる群の中から選択される)が含まれる。好ましい堆積法によって、結晶膜を含めて、水素非添加のシリコン合金膜およびドープシリコン膜が製造される。
Claim (excerpt)：
水素非添加のSi含有膜を製造するための堆積法であって、 内部に基板を配置した気相成長チャンバを準備するステップ、 少なくとも1個のシリコン原子および少なくとも1個のIII族またはV族の原子を含むドーパント前駆体を前記チャンバに導入するステップ、および 水素非添加のSi含有膜を前記基板上に堆積させるステップを含む堆積法。
IPC (1)：
H01L21/205
FI (1)：
H01L21/205
F-Term (7)：
5F045AA03 ,  5F045AB01 ,  5F045AB03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045BB04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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