導電性パターンの形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996108784
Publication number (International publication number)：1997260293
Application date： Mar. 25, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【目的】 p型またはn型に制御された低抵抗のSiGeからなる導電性パターンを基材選択的に500°C以下の低温で形成することを可能にする。【構成】基材上にパターン状に形成された導電性基材上に、ドーパントガスを含むハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料ガスとする熱CVD法を用いて、500°C以下の温度で選択的に低抵抗のSiGeからなる導電性パターンを形成する。

Claim (excerpt)：

ハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱CVD技術によって、基材に該基材とは異なるパターン状に形成された基材上にのみ選択的に、p型あるいはn型SiGeからなる導電性パターンを形成する方法

IPC (5)：

H01L 21/205 , C23C 16/04 , H01L 21/28 301 , H01L 21/285 , H01L 21/3205

FI (5)：

H01L 21/205 , C23C 16/04 , H01L 21/28 301 Z , H01L 21/285 C , H01L 21/88 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-049528 Applicant：富士通株式会社
薄膜の製膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-030481 Applicant：セントラル硝子株式会社
Ge薄膜の成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-007218 Applicant：セントラル硝子株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

GeF4-Si2H6系反応性熱CVDによるSiGe膜の成長・・・選択・非選択成長の検討

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