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J-GLOBAL ID：200903068002178477

半導体素子およびその製造方法

Inventor：
松岡 隆志

About 松岡 隆志


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999030652
Publication number (International publication number)：2000228535
Application date： Feb. 08, 1999
Publication date： Aug. 15, 2000
Summary：
【要約】【課題】 III 族窒化物半導体素子において、高品質の素子層を提供することにより、高効率かつ長寿命の半導体素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 素子層がIn<SB>1-X-Y</SB> Ga<SB>X</SB> Al<SB>Y</SB> N(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y≦1)層である半導体素子は、平均組成がIn<SB>1-X'-Y'</SB> Ga<SB>X'</SB>Al<SB>Y</SB><SB>'</SB> N(0< X’≦1、0< Y’≦1、0< X’+Y’≦1)であり、かつ単結晶基板側との接触表面においてAlを含み、および素子層側との接触表面においてGaを含むように組成が連続的または不連続的に変化しているバッファ層を具える。
Claim (excerpt)：
素子層を形成する少なくとも1層のIn<SB>1-X-Y</SB> Ga<SB>X</SB> Al<SB>Y</SB>N(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y≦1)層が、少なくとも1層のバッファ層を介して単結晶基板上に積層される半導体素子において、前記バッファ層は、平均組成が、In<SB>1-X'-Y'</SB> Ga<SB>X'</SB>Al<SB>Y'</SB>N(0< X’≦1、0< Y’≦1、0< X’+Y’≦1)であり、かつ前記単結晶基板側との接触表面においてAlを含み、および前記素子層側との接触表面においてGaを含むように該単結晶基板側から該素子層側にかけて組成が連続的または不連続的に変化することを特徴とする半導体素子。
IPC (6)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (4)：
H01L 33/00 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H
F-Term (46)：
5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA60 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58 ,  5F045HA16 ,  5F052AA11 ,  5F052CA08 ,  5F052DA04 ,  5F052DA10 ,  5F052DB02 ,  5F052EA15 ,  5F052JA10 ,  5F052KA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GS02 ,  5F102HC01 ,  5F102HC21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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