多孔質層及びデバイス、並びにその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：平木祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001194859
Publication number (International publication number)：2003011099
Application date： Jun. 27, 2001
Publication date： Jan. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】ナノ構造からなる細孔を有し、細孔密度を簡便、且つ、低コストに制御し、細孔制御の大面積化を可能にした多孔質層及びその製造方法を提供する。【解決手段】多孔質層は第1の細孔群3、第2の細孔群4の2つの異なる細孔構造から構成され、一部の第1の細孔群3と第2の細孔群4とが連続性を有する。多孔質層の製造に当たっては、多段階陽極酸化法を用いる。具体的には、陽極酸化するための化成電圧を変化させる。

Claim (excerpt)：

複数の細孔から構成される多孔質層であって、第1の表面に開口を有し、ある深さで終端する第1の細孔群と、前記第1の細孔群の一部と深さ方向に連続し、少なくとも第1の細孔群とは孔径の異なる第2の細孔群とを備えたことを特徴とする多孔質層。

IPC (6)：

B82B 3/00 , C25D 11/04 101 , C25D 11/04 302 , C25D 11/04 303 , H01L 29/06 601 , C01B 31/02 101

FI (6)：

B82B 3/00 , C25D 11/04 101 A , C25D 11/04 302 , C25D 11/04 303 , H01L 29/06 601 N , C01B 31/02 101 F

F-Term (3)：

4G046CB01 , 4G046CB03 , 4G046CC06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

特開平2-258620
ナノ構造体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-093129 Applicant：キヤノン株式会社
特開平2-258619

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Cited by examiner (12)

特開平2-258620
特開平2-258620
ナノ構造体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-093129 Applicant：キヤノン株式会社

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