共用グローバルワード線を有する磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：古谷聡 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003040986
Publication number (International publication number)：2003298028
Application date： Feb. 19, 2003
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】本発明の目的は、MRAMメモリセルにおいて、磁化の向きを決めるワード線に加えられる電位が制限されないようにすること、セルの抵抗を読み取るために用いられるワード線あるいはビット線を短くすること、製造に必要な工程数を最小限に抑えることなどである。【解決手段】本発明は、共用グローバルワード線MRAM構造を供給する装置と方法を含む。MRAM構造は、第1の方向に向けられるビット線導体を含む。センス線導体は、第2の方向に向けられる。メモリセルは、ビット線導体とセンス線導体との間に物理的に接続される。グローバルワード線は概ね、第2の方向に向けられ、メモリセルに磁気的に接続される。メモリセルは、MRAMデバイスである。

Claim (excerpt)：

共用グローバルワード線MRAM構造であって、第1の方向に向けられる第1のビット線導体(342)と、第2の方向に向けられる第1のセンス線導体(360)と、前記第1のビット線導体(342)と前記第1のセンス線導体(360)との間に物理的に接続される第1のメモリセル(322)と、概ね前記第2の方向に向けられ、前記第1のメモリセル(322)に磁気的に結合されるグローバルワード線(310)と、概ね前記第1の方向に向けられる第2のビット線導体(352)と、概ね前記第2の方向に向けられる第2のセンス線導体(362)と、前記第2のビット線導体(352)と前記第2のセンス線導体(362)との間に物理的に接続される第2のメモリセル(332)とを含み、前記グローバルワード線(310)はさらに、前記第2のメモリセル(332)に磁気的に結合される共用グローバルワード線MRAM構造。

IPC (3)：

H01L 27/105 , G11C 11/15 120 , H01L 43/08

FI (3)：

G11C 11/15 120 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

F-Term (3)：

5F083FZ10 , 5F083KA01 , 5F083KA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

強磁性トンネル接合素子を用いた記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-026690 Applicant：ローム株式会社
メモリセル装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-512211 Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-361340 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page