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J-GLOBAL ID：200903068358961869

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 副島 ▲玲▼子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997207737
Publication number (International publication number)：1999054843
Application date： Aug. 01, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、p型Alx Iny Ga1-x-y Nに設ける電極の剥離を防止する。【解決手段】 半導体層1に接するNi層2と、ボンディングメタル層としてのAu層4との間にTi層3を介在させる。

Claim (excerpt)：

半導体層に接するNi層と、ボンディングメタル層としてのAu層との間にTi層を介在させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 化合物半導体発光素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-154414   Applicant：星和電機株式会社
• 化合物半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-194783   Applicant：シャープ株式会社
• 化合物半導体装置、及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-016100   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体レーザ装置、画像表示装置、及び光伝送システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-181856   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-215147   Applicant：富士通株式会社