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J-GLOBAL ID：200903068396563826

保護被膜、半導体ウェーハの処理装置、及び薄フィルムダイヤモンド被膜の生成方法

Inventor：
ヘンリー ウィンディッシュマン

About ヘンリー ウィンディッシュマン


Applicant, Patent owner：
サンーゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド

About サンーゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド


Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001000164
Publication number (International publication number)：2001247965
Application date： Jan. 04, 2001
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：
【要約】【課題】 従来の厚いフィルムのダイヤモンド被膜と同様な腐食抵抗を有する薄いフィルムのダイヤモンド被膜を提供する。【解決手段】 薄いフィルムのダイヤモンド被膜は比較的低いメタン濃度で比較的ゆっくりと形成されラマン分光写真特性によって確認される。好ましくは5から40ミクロンの厚さの薄いフィルムのダイヤモンドは他の薄いフィルムのダイヤモンド被膜よりも腐食性の環境で実質的に大きい腐食及び浸食抵抗をもたらす。この薄いフィルムのダイヤモンド被膜はその純度と品質により増大した化学抵抗が得られるものと考えられる。
Claim (excerpt)：
腐食環境の物品の表面に用いる保護被膜であって、1000W/mKより大きい熱伝導性と10cm-1より小さいRaman Full Width at Half Maximumとを有し、また150ミクロン以下の厚さを有している、化学蒸着によって形成された多結晶ダイヤモンドフィルム材料からなる、保護被膜。
IPC (4)：
C23C 16/27 ,  B32B 9/00 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/31
FI (4)：
C23C 16/27 ,  B32B 9/00 A ,  C30B 29/04 X ,  H01L 21/31 F
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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