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J-GLOBAL ID：200903068441894839

半導体記憶装置

Inventor： 末松 靖弘 ,  小柳 勝
Applicant, Patent owner： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000253888
Publication number (International publication number)：2002074960
Application date： Aug. 24, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】電源を1系統にして電源の切り替えによる電源ノイズの発生が除去されたビット線電位オーバドライブ回路を備える半導体記憶装置を提供する。【解決手段】センスアンプを駆動するVBLH電源線1に対して、ビット線最終電位VBLHを発生するVBLH電位発生回路2と、電荷調整容量Cと、オーバドライブ電位をVBLH電源線1に供給するトランジスタQ10と、PCSノード3をVBLH電源線1に接続するトランジスタQ8とをそれぞれ接続し、VBLH電源線1につながる上記回路素子の容量と、ビット線容量と、セルキャパシタの容量との全ての容量の間で、オーバドライブ電位からVBLH電源線1にプリチャージされた電荷を再配分することにより、VBLH電位発生回路2からなる実質的に1系統の電源を用いてビット線をオーバドライブするビット線オーバドライブ回路を提供することができる。

Claim (excerpt)：

ビット線にオーバドライブ後の最終電位を付与する最終電位発生回路と、一方の端子が前記最終電位よりも高い前記ビット線のオーバドライブ電位に設定され、他方の端子が前記最終電位発生回路の出力に接続された第1のスイッチと、一方の端子が前記第1のスイッチの他方の端子に接続され、他方の端子がセンスアンプの一方の活性化ノードに接続された第2のスイッチと、一方の端子が前記第1、第2のスイッチの接続点に接続され、他方の端子が定電圧に設定された前記ビット線の電位を調整する電荷調整容量と、を具備することを特徴とするビット線オーバドライブ回路を有する半導体記憶装置。

IPC (3)：

G11C 11/409 ,  G11C 11/407 ,  G11C 11/401

FI (3)：

G11C 11/34 353 E ,  G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 362 H

F-Term (7)：

5B024AA03 ,  5B024AA07 ,  5B024BA07 ,  5B024BA09 ,  5B024BA29 ,  5B024CA07 ,  5B024CA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-003878   Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 半導体装置および電源電圧発生回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-130902   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-307714   Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 株式会社日立製作所