半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996005494
Publication number (International publication number)：1997199680
Application date： Jan. 17, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】水素雰囲気中での熱処理効果が小さい為、容量素子にホールド不良が発生し製造歩留り及び信頼性が低下する。【解決手段】層間絶縁膜を酸化膜(BPSG膜5とCVD酸化膜6)で形成し、ストレージ電極20を構成する周辺部12Aを形成する為のエッチングをCVD酸化膜6をストッパーとして行なう。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたトランジスタ素子と、このトランジスタ素子上に形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に形成され柱状の主部とこの主部に底面部で連結された筒状の外周部とからなるストレージ電極とを有する半導体装置において、前記層間絶縁膜を水素の侵入が容易な絶縁膜で形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/41

FI (3)：

H01L 27/10 621 C , H01L 27/04 C , H01L 29/44 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-174361 Applicant：日本電気株式会社
半導体記憶装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-151081 Applicant：ソニー株式会社
ダイナミツクRAM
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-296238 Applicant：ソニー株式会社

Show all

Return to Previous Page