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J-GLOBAL ID:200903068545849100
半導体デバイスの評価方法及び装置。
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001145170
Publication number (International publication number):2002340990
Application date: May. 15, 2001
Publication date: Nov. 27, 2002
Summary:
【要約】【課題】 試料の分析を裏面からレーザー照射することによって行う装置において、マーキングを可能とする。【解決手段】 試料10の裏面側に、OBIC現象が発生可能で、且つ、半導体デバイス試料10のベースを成すシリコン基板を透過可能な波長を有するレーザービームを発生するレーザー光源、レーザー走査機構及び対物レンズ等を備えた第1マイクロスコープ21を設ける。試料10の表面側に、マーキング用レーザー光源23、第1マイクロスコープ1からのレーザービームを透過させ、マーキング用レーザー光源23からのレーザービームを半導体デバイス10方向に反射させるハーフミラー24、CCDカメラ25及び対物レンズ等が備えられている第2マイクロスコープ22を設ける。
Claim (excerpt):
半導体デバイス試料上を裏面から放射ビームで走査し、該走査により該半導体デバイス試料から得られた放射ビームに基づいて試料像を得ると同時に、前記走査により試料中に発生している欠陥箇所からの電気信号に基づいて電気信号像を得、前記試料像と電気信号像から半導体デバイス試料中に発生している欠陥個所を同定し、次に、半導体デバイス試料上の前記同定した欠陥箇所近傍に試料表面からレーザービームを照射してマーキングを行うようにした半導体デバイスの評価方法。
IPC (5):
G01R 31/302
, G01R 1/06
, G01R 31/26
, H01L 21/02
, H01L 21/66
FI (5):
G01R 1/06 F
, G01R 31/26 Z
, H01L 21/02 A
, H01L 21/66 A
, G01R 31/28 L
F-Term (18):
2G003AA10
, 2G003AF08
, 2G003AG06
, 2G003AH10
, 2G011AE03
, 2G132AD00
, 2G132AE16
, 2G132AF13
, 2G132AF14
, 2G132AL31
, 4M106BA02
, 4M106BA05
, 4M106BA14
, 4M106DA05
, 4M106DE05
, 4M106DH12
, 4M106DH50
, 4M106DJ11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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半導体デバイスの寄生MIM構造箇所解析法及びSi半導体デバイスの寄生MIM構造箇所解析法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-208102
Applicant:日本電気株式会社
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欠陥検査装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-115397
Applicant:ソニー株式会社
-
レーザ顕微鏡
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-042259
Applicant:日本電子株式会社, 日本電子ライオソニック株式会社
-
半導体デバイスの解析装置及び方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-164086
Applicant:日本電子株式会社, 日本電子ライオソニック株式会社
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Article cited by the Patent:
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