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J-GLOBAL ID：200903068587212403

パターン形成方法

Inventor：
佐藤 康彦

About 佐藤 康彦

, 
後河内 透

About 後河内 透


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000198469
Publication number (International publication number)：2002014474
Application date： Jun. 30, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：
【要約】【課題】 良好な加工形状を有する被加工膜パターンを形成を可能とするパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 ナフトール誘導体とホルムアルデヒドを脱水縮合したノボラック化合物、またはアントラセン誘導体とホルムアルデヒドを脱水縮合したノボラック化合物を溶媒に溶解して調製した下層膜溶液を被加工膜201上に塗布して下層膜202を形成する工程と、前記下層膜202上にレジスト膜203を形成する工程と、前記レジスト膜203に対してパターン露光を行なってレジストパターン204を形成する工程と、前記レジストパターン204を前記下層膜202に転写して下層膜パターン205を形成する工程と、前記下層膜パターン205を前記被加工膜201に転写して被加工膜パターン206を形成する工程とを具備することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
ナフトール誘導体とホルムアルデヒドを脱水縮合したノボラック化合物、またはアントラセン誘導体とホルムアルデヒドを脱水縮合したノボラック化合物を溶媒に溶解して調製した下層膜溶液を被加工膜上に塗布して下層膜を形成する工程と、前記下層膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対してパターン露光を行なってレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを前記下層膜に転写して下層膜パターンを形成する工程と、前記下層膜パターンを前記被加工膜に転写して被加工膜パターンを形成する工程とを具備することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5)：
G03F 7/11 502 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (6)：
G03F 7/11 502 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 H
F-Term (28)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA34 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096CA05 ,  2H096EA05 ,  2H096HA23 ,  5F004AA04 ,  5F004BA13 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004EA02 ,  5F004EA28 ,  5F046CA04 ,  5F046CA07 ,  5F046PA07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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