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J-GLOBAL ID：200903068614092652

電力用半導体装置

Inventor： 川口 雄介 ,  中川 明夫 ,  中村 和敏
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998285455
Publication number (International publication number)：2000114520
Application date： Oct. 07, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】低オン抵抗と高耐圧を同時に満足できる、マルチリサーフ層を備えた横型パワーMOSFETを実現すること。【解決手段】埋込み酸化膜2に達しない深さのp- 型ドリフト層4を形成するとともに、n- 型ドリフト層のn型不純物のドーズ量を多くする。

Claim (excerpt)：

絶縁領域上に設けられた高抵抗の第1導電型活性層と、この第1導電型活性層の表面に選択的に形成された第2導電型ボディ層と、この第2導電型ボディ層の表面に選択的に形成された第1導電型ソース層と、前記第1導電型活性層の表面に前記第2導電型ボディ層とは離れて選択的に形成された第1導電型ドレイン層と、前記第1導電型ソース層と前記第1導電型活性層とで挟まれた領域の前記第2導電型ボディ層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第2導電型ボディ層と前記第1導電型ドレイン層とで挟まれた領域の前記第1導電型活性層の表面に、前記第2導電型ボディ層から前記第1導電型ドレイン層に向かってストライプ状に形成され、かつ互いに所定距離だけ離れて形成された複数の高抵抗の第2導電型ドリフト層とを具備し、これらの第2導電型ドリフト層で挟まれた領域をストライプ状の第1導電型ドリフト層とすることを特徴とする電力用半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 652 H

F-Term (4)：

5F040DA00 ,  5F040DA22 ,  5F040EA00 ,  5F040EB12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 高耐圧半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-188855   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-004918   Applicant：富士電機株式会社
• パワーMOSFET
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-076503   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト