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J-GLOBAL ID：200903068645930842

近接場プローブおよび近接場プローブの製造方法

Inventor： 富永 淳二 ,  中野 隆志 ,  阿刀田 伸史 ,  藤 寛 ,  鈴木 良政
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  オリンパス光学工業株式会社 ,  シャープ株式会社
Agent (2)： 鈴江 武彦 ,  鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000348124
Publication number (International publication number)：2002156322
Application date： Nov. 15, 2000
Publication date： May. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】近接場プローブを再現性良く短時間で製造する方法を提供する。【解決手段】 まず、AFMカンチレバーチップの特定の表面を遮光膜130で被覆する。遮光膜130は、例えば、カルコゲンまたはカルコゲン化合物で形成する。次に、プリズム142の特定の面に、遮光膜130の材料と異なる金属または合金の薄膜(拡散膜)144を形成する。そして、プリズム142にレーザー光146を照射して、薄膜144の表面近傍にエバネッセント場148を発生させる。さらに、突出部122を被覆する遮光膜130と、プリズム142に形成された薄膜144とを接触させる。接触部分では、固相・固相反応が起きて合金が形成され、形成された合金は薄膜144に付着する。その結果、プローブ母材の突出部122の先端を覆っている部分の遮光膜130が選択的に除去され、探針部106の先端に微小な光学的な開口が形成される。

Claim (excerpt)：

近接場顕微鏡または近接場光記録装置に用いられる近接場プローブであり、光学的に透明なプローブ母材と、プローブ母材の特定の表面を被覆する遮光膜と、少なくとも一つの微小な光学的な開口を備えており、遮光膜は金属またはカルコゲンを含む膜であり、微小な光学的な開口は、エバネッセント場によって促進された遮光膜の拡散反応により遮光膜を選択的に除去することで形成されている近接場プロープ。

IPC (3)：

G01N 13/14 ,  G01B 11/30 ,  G12B 21/06

FI (3)：

G01N 13/14 B ,  G01B 11/30 Z ,  G12B 1/00 601 C

F-Term (3)：

2F065AA49 ,  2F065FF00 ,  2F065PP24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 微小開口を有するプローブの作製法とそれによるプローブ、並びに該プローブを用いた走査型近接場光顕微鏡と走査型トンネル顕微鏡との複合装置、および該プローブを用いた記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-103361   Applicant：キヤノン株式会社
• 微小開口プローブ及び微小開口プローブの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-061032   Applicant：株式会社ニコン
• 近接場プローブ及び近接場プローブ作成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-232710   Applicant：工業技術院長, オリンパス光学工業株式会社
• 近接場プローブおよび近接場プローブの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-236668   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, オリンパス光学工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 固相拡散を利用した近接場プローブの作製方法(1)