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J-GLOBAL ID：200903068659857560

窒化物系半導体発光素子及び窒化物半導体層の成長方法

Inventor： 大保 広樹 ,  林 伸彦
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999022181
Publication number (International publication number)：2000223743
Application date： Jan. 29, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 GaN基板の上に形成される窒化物系半導体層の結晶性が良く、長寿命化に適した窒化物系半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 GaNからなる基板1の上面に、窒化物系半導体からなる発光層を形成してなる窒化物系半導体発光素子において、前記基板の上面のC面に対する傾斜角度が、0.03°以上、10°以下である。

Claim (excerpt)：

GaNからなる基板の上面に窒化物系半導体からなる発光層を形成してなる窒化物系半導体発光素子において、前記基板の上面がC面に対して傾斜していることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/343

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 662 ,  H01S 3/18 677

F-Term (17)：

5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭56-059699
  
• 半導体ウェハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-336984   Applicant：日立電線株式会社
• 可視光半導体発光装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-337187   Applicant：三洋電機株式会社
• 窒化化合物半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-347839   Applicant：日本電気株式会社
• 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-159341   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-307283   Applicant：住友化学工業株式会社