窒化物系半導体発光素子及び窒化物半導体層の成長方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：芝野正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999022181
Publication number (International publication number)：2000223743
Application date： Jan. 29, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 GaN基板の上に形成される窒化物系半導体層の結晶性が良く、長寿命化に適した窒化物系半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 GaNからなる基板1の上面に、窒化物系半導体からなる発光層を形成してなる窒化物系半導体発光素子において、前記基板の上面のC面に対する傾斜角度が、0.03°以上、10°以下である。

Claim (excerpt)：

GaNからなる基板の上面に窒化物系半導体からなる発光層を形成してなる窒化物系半導体発光素子において、前記基板の上面がC面に対して傾斜していることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01S 5/22 , H01S 5/343

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18 662 , H01S 3/18 677

F-Term (17)：

5F041AA43 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB07 , 5F073CB14 , 5F073DA05 , 5F073DA21 , 5F073DA35 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特開昭56-059699
半導体ウェハ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-336984 Applicant：日立電線株式会社
可視光半導体発光装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-337187 Applicant：三洋電機株式会社

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