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J-GLOBAL ID：200903068740150986

液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板およびその製造方法

Inventor：
金 東奎

About 金 東奎


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 小野 由己男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997000420
Publication number (International publication number)：1997236827
Application date： Jan. 06, 1997
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ホトエッチング工程の数を減少させて工程を単純化させかつ費用を節減させる。【解決手段】 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板は、基板上に形成されるゲート線、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、非晶質シリコン層、n+非晶質シリコン層の半導体層と、半導体層上に形成されるデータ線、ソース電極、ドレイン電極と、データ線およびソース電極を覆っており、かつドレイン電極の一部を覆う保護膜と、ドレイン電極の露出された部分と連結されている画素電極とを含み、半導体層は保護膜の外部に露出されているドレイン電極の下部を除いて保護膜と同一のパターンで形成されている。
Claim (excerpt)：
基板上に形成されているゲート線およびゲート電極と、前記ゲート線およびゲート電極を覆っているゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されている半導体層と、前記半導体層上に形成されているデータ線、ソース電極およびドレイン電極と、前記データ線および前記ソース電極を覆っており、前記ドレイン電極を一部覆っている保護膜と、前記ドレイン電極の露出された部分と連結されている画素電極と、を含み、前記半導体層は前記保護膜の外部に露出されているドレイン電極の下部を除いては前記保護膜と同一のパターンで形成されている液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
IPC (2)：
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786
FI (3)：
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 619 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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