半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：龍華国際特許業務法人 , 林茂則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009074528
Publication number (International publication number)：2009260325
Application date： Mar. 25, 2009
Publication date： Nov. 05, 2009
Summary：

【課題】半導体-絶縁体界面の界面準位が低減した半導体基板とその製造方法および半導体装置を提供する。【解決手段】砒素を含む3-5族化合物の半導体層と、酸化物、窒化物または酸窒化物の絶縁層と、を備え、前記半導体層と前記絶縁層との間に砒素の酸化物が検出されない半導体基板が提供される。当該第1の形態において半導体基板は、前記半導体層と前記絶縁層との間に存在する元素を対象としたX線光電子分光法による光電子強度の分光観察において、砒素に起因する元素ピークの高結合エネルギー側に、酸化された砒素に起因する酸化物ピークが検出されないものであってよい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

砒素を含む3-5族化合物の半導体層と、酸化物、窒化物または酸窒化物の絶縁層と、を備え、前記半導体層と前記絶縁層との間に砒素の酸化物が検出されない半導体基板。

IPC (6)：

H01L 21/316 , H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/318

FI (7)：

H01L21/316 Z , H01L29/78 301B , H01L29/78 301G , H01L21/28 A , H01L21/28 301B , H01L27/04 C , H01L21/318 Z

F-Term (59)：

4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104BB01 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB19 , 4M104BB24 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD79 , 4M104DD86 , 4M104EE03 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC16 , 5F038AC18 , 5F038EZ02 , 5F038EZ06 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F058BB01 , 5F058BB02 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BC09 , 5F058BC11 , 5F058BD01 , 5F058BE01 , 5F058BE10 , 5F058BJ01 , 5F140AA00 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA07 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF08 , 5F140BJ01 , 5F140BJ04 , 5F140BJ05 , 5F140BJ08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平4-236424
薄膜作成方法及び薄膜作成装置並びに半導体-絶縁体接合構造を有する半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-257675 Applicant：松村英樹, 日本電気株式会社, アネルバ株式会社
特開平4-091435

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

Return to Previous Page