Pat
J-GLOBAL ID：200903068768495504

半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置

Inventor：
杉山 正和

About 杉山 正和

, 
霜垣 幸浩

About 霜垣 幸浩

, 
秦 雅彦

About 秦 雅彦

, 
市川 磨

About 市川 磨


Applicant, Patent owner：
国立大学法人 東京大学

About 国立大学法人 東京大学

, 
住友化学株式会社

About 住友化学株式会社


Agent (2)： 龍華国際特許業務法人 ,  林 茂則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009074528
Publication number (International publication number)：2009260325
Application date： Mar. 25, 2009
Publication date： Nov. 05, 2009
Summary：
【課題】半導体-絶縁体界面の界面準位が低減した半導体基板とその製造方法および半導体装置を提供する。【解決手段】砒素を含む3-5族化合物の半導体層と、酸化物、窒化物または酸窒化物の絶縁層と、を備え、前記半導体層と前記絶縁層との間に砒素の酸化物が検出されない半導体基板が提供される。当該第1の形態において半導体基板は、前記半導体層と前記絶縁層との間に存在する元素を対象としたX線光電子分光法による光電子強度の分光観察において、砒素に起因する元素ピークの高結合エネルギー側に、酸化された砒素に起因する酸化物ピークが検出されないものであってよい。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
砒素を含む3-5族化合物の半導体層と、 酸化物、窒化物または酸窒化物の絶縁層と、を備え、 前記半導体層と前記絶縁層との間に砒素の酸化物が検出されない半導体基板。
IPC (6)：
H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/318
FI (7)：
H01L21/316 Z ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G ,  H01L21/28 A ,  H01L21/28 301B ,  H01L27/04 C ,  H01L21/318 Z
F-Term (59)：
4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB01 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB19 ,  4M104BB24 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD79 ,  4M104DD86 ,  4M104EE03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F058BB01 ,  5F058BB02 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC09 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BE01 ,  5F058BE10 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA00 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA07 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BA20 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF08 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (21)
Show all
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM