半導体発光素子の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998224294
Publication number (International publication number)：1999233896
Application date： Aug. 07, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体レーザ端面での光吸収を窓構造を採用することで長期間にわたって安定に抑制し、しかも、不活性化層を誘電体又は誘電体と半導体の組合せからなるコーティング層との間に挿入することで、長期安定な端面を実現し、さらには不活性化層の拡散が起こった際にも安定に動作する半導体レーザを、簡便な方法で実現可能とする。【解決手段】基板上に、第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層を含む化合物半導体層が形成されてなり、共振器構造を有する半導体発光素子の製造方法において、基板上に化合物半導体層を順次結晶成長し、劈開により共振器端面を形成し、次いで、少なくとも1つの端面に露出した、少なくとも活性層の端面近傍の構成元素の一部を脱離させた後、真空中で不活性化層を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に、第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層を含む化合物半導体層が形成されてなり、共振器構造を有する半導体発光素子の製造方法において、基板上に化合物半導体層を順次結晶成長し、劈開により共振器端面を形成し、次いで、少なくとも1つの端面に露出した、少なくとも活性層の端面近傍の構成元素の一部を脱離させた後、真空中で不活性化層を形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体レーザ装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-304514 Applicant：富士通株式会社
半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-213200 Applicant：松下電器産業株式会社
特開昭59-149080

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