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J-GLOBAL ID：200903068842970902

酸化物焼結体、その製造方法、酸化物透明導電膜の製造方法、および酸化物透明導電膜

Inventor： 阿部 能之 ,  中山 徳行 ,  小原 剛 ,  和気 理一郎
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006070322
Publication number (International publication number)：2007246318
Application date： Mar. 15, 2006
Publication date： Sep. 27, 2007
Summary：

【課題】電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法により酸化物透明導電膜を製造する際に、多量のエネルギーを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。【解決手段】モリブデンを固溶したインジウム酸化物を含有し、モリブデンがインジウムに対する原子数比で0.001以上0.060以下含まれ、密度が3.7g/cm3以上6.5g/cm3以下であり、金属相と酸化モリブデンの結晶相を含まない酸化物焼結体とする。【選択図】 なし。

Claim (excerpt)：

モリブデンを固溶したインジウム酸化物を含み、モリブデンの量がインジウムに対する原子数比(Mo/In)で0.001〜0.060であり、密度が3.7〜6.5g/cm3のものであることを特徴とする酸化物焼結体。

IPC (4)：

C04B 35/00 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 ,  C23C 14/08

FI (4)：

C04B35/00 J ,  H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B ,  C23C14/08 K

F-Term (27)：

4G030AA23 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030GA22 ,  4G030GA26 ,  4G030GA27 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA00 ,  4K029CA02 ,  4K029CA03 ,  4K029DB05 ,  4K029DB08 ,  4K029DB21 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03 ,  5G323BA02 ,  5G323BB04 ,  5G323BC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 透明導電膜作製用焼結体ターゲットおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-060045   Applicant：住友金属鉱山株式会社
• 透明導電性薄膜用ターゲット、透明導電性薄膜およびその製造方法、ディスプレイ用電極材料、有機エレクトロルミネッセンス素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-330058   Applicant：住友金属鉱山株式会社

Cited by examiner (1)

• スパツタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲツト材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-259904   Applicant：三菱マテリアル株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Effects of oxygen contents on the electrical and optical properties of indium molybdenum oxide films
• 透明東電膜の技術, 20000425, 第1版第2刷, 第82頁