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J-GLOBAL ID：200903068944944868

半導体レーザおよび光ディスク装置

Inventor：
平田 照二

About 平田 照二


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998127225
Publication number (International publication number)：1999330612
Application date： May. 11, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 光ディスク装置の光源に用いた場合に戻り光雑音を極めて少なくすることができる半導体レーザおよびこの半導体レーザを光源に用いた光ディスク装置を提供する。【解決手段】 活性層をn側クラッド層とp側クラッド層とによりはさんだ構造を有する半導体レーザにおいて、p側クラッド層のうち活性層との界面から100nm以内の所定距離離れた部分にZnなどのp型不純物を1×1018cm-3以上ドーピング飽和濃度以下の濃度にドープし、p側クラッド層のうち活性層との界面からその所定距離未満の部分はアンドープとする。n側クラッド層についても同様にするが、このときのSeなどのn型不純物の濃度は5×1017cm-3以上ドーピング飽和濃度以下にする。これに加えて、活性層を井戸層の数が少なくとも5以上の多重量子井戸構造とする。
Claim (excerpt)：
活性層をn側クラッド層とp側クラッド層とによりはさんだ構造を有する半導体レーザにおいて、上記p側クラッド層のうちの上記p側クラッド層と上記活性層との界面から100nm以内の所定距離以上離れた部分にp型不純物が1×1018cm-3以上ドーピング飽和濃度以下の濃度にドープされているとともに、上記p側クラッド層のうちの上記p側クラッド層と上記活性層との界面から上記所定距離未満の部分にはp型不純物がドープされておらず、かつ、上記活性層は井戸層の数が少なくとも5以上の多重量子井戸構造を有することを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  G11B 7/125
FI (2)：
H01S 3/18 ,  G11B 7/125 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 半導体レーザー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-229356   Applicant：ソニー株式会社
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-139230   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-346629   Applicant：三洋電機株式会社
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