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J-GLOBAL ID：200903068957443582

フォトレジスト膜の現像方法

Inventor：
井谷 俊郎

About 井谷 俊郎


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 西村 征生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999047256
Publication number (International publication number)：2000250229
Application date： Feb. 24, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 露光後のフォトレジスト膜をパターニングするフォトレジスト膜の現像方法において、水分を残すことなく現像後の現像液を除去して良好なレジストパターンを得る。【解決手段】 開示されているフォトレジスト膜の現像方法は、化学増幅系ポジ型フォトレジストからなるフォトレジスト膜を露光した後、現像処理し、現像後の現像液を除去するために、純水に対して1〜20重量%のイソプロピルアルコールを混合した混合液を用いてリンスを行う。
Claim (excerpt)：
基板上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成した後、該フォトレジスト膜を露光し、次に該フォトレジスト膜を現像処理して所望の形状にパターニングするフォトレジスト膜の現像方法であって、前記現像処理における現像後の現像液を除去するために行うリンスを、純水とアルコールとの混合液を用いて行うことを特徴とするフォトレジスト膜の現像方法。
IPC (4)：
G03F 7/32 501 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (4)：
G03F 7/32 501 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 569 E
F-Term (21)：
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA14 ,  2H025FA17 ,  2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096GA17 ,  2H096GA18 ,  5F046LA12 ,  5F046LA14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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