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J-GLOBAL ID：200903068974979267

オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法

Inventor： マルクス ルーナウ ,  ベルト ブラウネ ,  パトリック クロモーティス ,  ゲオルク ボーグナー
Applicant, Patent owner： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Agent (5)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003182480
Publication number (International publication number)：2004040099
Application date： Jun. 26, 2003
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

【課題】広汎な要求を満足する冒頭に言及した形式のオプトエレクトロニクス素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】キャビティ内の半導体チップとキャビティ側壁とのあいだに反射性の充填物質が配置されており、ベースケーシングのフロント面へ向かう少なくとも1つの表面は半導体チップから見て凹面鏡状すなわち凹形に湾曲しており、一部の放射に対するリフレクタ面を形成している。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

少なくとも1つのキャビティ(18)を有するベースケーシング(12)およびキャビティ(18)内に配置された少なくとも1つの電磁放射を放出および/または受信する半導体チップ(20)を有しており、 前記キャビティ(18)がベースケーシング(12)のフロント面(121)からベースケーシング(12)内へ延在している オプトエレクトロニクス素子(10)において、 キャビティ(18)内の半導体チップ(20)とキャビティ側壁(26)とのあいだに反射性の充填物質(28)が配置されており、 ベースケーシング(12)のフロント面(121)へ向かう少なくとも1つの表面(30)は半導体チップ(20)から見て凹面鏡状すなわち凹形に湾曲しており、一部の放射に対するリフレクタ面を形成している ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 N

F-Term (8)：

5F041AA03 ,  5F041DA17 ,  5F041DA25 ,  5F041DA44 ,  5F041DA46 ,  5F041DA58 ,  5F041DA74 ,  5F041DA78

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-084574   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 発光素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-249811   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-089951   Applicant：松下電子工業株式会社
• 発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-018275   Applicant：日亜化学工業株式会社