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J-GLOBAL ID:200903069017931127
処理装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
井上 俊夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994217810
Publication number (International publication number):1996060374
Application date: Aug. 19, 1994
Publication date: Mar. 05, 1996
Summary:
【要約】【目的】 プラズマエッチングやCVDを行う処理装置において処理室の搬送口を開閉するゲートバルブの交換を容易に行えるようにして装置の稼動率を向上させること。【構成】 ロードロック室と処理室との間の搬送口を開閉するゲートバルブ4を、表面40が処理室内の雰囲気にさらされる表層部分41と、その裏面側の基体部分42とにより構成し、表層部分41を基体部分42に対して例えばネジ43により着脱自在に取り付けて表層部分41のみを交換できるように構成すると共に、表層部分41の材質として耐蝕性が大きくてプラズマの衝撃に強い材質例えばポリベンゾイミダゾールやセラミックなどを用いる。
Claim (excerpt):
気密な処理室内にて処理ガスまたはそのプラズマにより被処理体を処理する装置において、表面が処理室内の雰囲気にさらされる部材を、表面が処理室内の雰囲気にさらされる表層部分とその裏面側の基体部分との積層構造体により構成し、前記表層部分を基体部分に対して着脱自在に取り付けたことをことを特徴とする処理装置。
IPC (4):
C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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特開昭63-153271
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プラズマ発生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-348907
Applicant:国際電気株式会社, 株式会社日立製作所
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特開昭63-311726
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