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J-GLOBAL ID：200903069060377966

N2Oガスを用いた薄膜形成方法

Inventor： ユン・ズン・ホ ,  サン・ヒョン・キム ,  ゼ・ウク・オ
Applicant, Patent owner： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997275613
Publication number (International publication number)：1998135207
Application date： Oct. 08, 1997
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明の目的は、ゲート絶縁膜又はキャパシタの誘電膜として使われる薄膜の絶縁及び誘電の特性を高める薄膜形成方法を提供することにある。【解決手段】 ゲート絶縁膜に使用するための薄膜形成工程は、半導体基板上に熱工程による窒化膜層を形成し、その窒化膜層をN2O ガスを用いたアニール工程で酸化させる。誘電膜は、ストレージノード電極層を形成したのち、その電極層上に熱窒化膜を形成し、その熱窒化膜上にTa2O5層を形成して、それを1Torr〜100Torrの圧力でN2O ガスを用いてアニーリングする。

Claim (excerpt)：

熱工程による窒化膜層を形成し、その窒化膜層をN2O ガスを用いたアニール工程で酸化させる工程により半導体とその上側の電極層とを絶縁するための絶縁層を形成することを特徴とするN2O ガスを用いた薄膜形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/318 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/318 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体装置の絶縁膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-272969   Applicant：沖電気工業株式会社
• 半導体素子におけるキャパシタ絶縁膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-126423   Applicant：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
• 特開平4-162527
  
• 半導体装置の製造方法及びその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-149982   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-138447   Applicant：沖電気工業株式会社