電子デバイス用基板およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石井陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997343895
Publication number (International publication number)：1999162852
Application date： Nov. 28, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】 AlN、GaN、InN等の窒化物バルク単結晶ウエハと同等の特性を有し、かつ電子デバイスの製造に適用可能な大面積の基板を提供する。【解決手段】 Al、GaおよびInから選択される少なくとも1種とNとを主成分とし、ウルツァイト型構造を有する窒化物結晶を有する窒化物薄膜から構成され、前記窒化物結晶の(0001)面が、前記窒化物薄膜表面に平行となるように単一配向しており、面積が10cm2以上である電子デバイス用基板。この電子デバイス用基板は、表面がSi単結晶から構成される支持基板の表面に、希土類元素の酸化物および/または酸化ジルコニウムから構成されるエピタキシャル膜であるバッファ層を形成し、このバッファ層表面に前記窒化物薄膜を成長させた後、支持基板の少なくとも一部または支持基板とバッファ層との少なくとも一部を除去することにより製造される。

Claim (excerpt)：

Al、GaおよびInから選択される少なくとも1種とNとを主成分とし、ウルツァイト型構造を有する窒化物結晶を有する窒化物薄膜から構成され、前記窒化物結晶の(0001)面が、前記窒化物薄膜表面に平行となるように単一配向しており、面積が10cm2以上である電子デバイス用基板。

IPC (4)：

H01L 21/203 , C30B 29/38 , H03H 3/08 , H03H 9/25

FI (5)：

H01L 21/203 S , C30B 29/38 C , C30B 29/38 D , H03H 3/08 , H03H 9/25 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

III-V族半導体物質及び該物質を含む電子部材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-333833 Applicant：トムソン-セーエスエフ
GaN基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-018013 Applicant：古河電気工業株式会社
結晶成長用基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-078061 Applicant：ソニー株式会社, 株式会社バイコウスキージャパン

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Cited by examiner (4)

III-V族半導体物質及び該物質を含む電子部材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-333833 Applicant：トムソン-セーエスエフ
GaN基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-018013 Applicant：古河電気工業株式会社
結晶成長用基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-078061 Applicant：ソニー株式会社, 株式会社バイコウスキージャパン

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