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J-GLOBAL ID：200903069265291371

III-V族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
石田 真也

About 石田 真也


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999140945
Publication number (International publication number)：2000332293
Application date： May. 21, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 従来のIII-V族窒化物系半導体発光素子において、活性層を成長する前に成長させる膜の平坦性および結晶性の良いものが得られず、発光素子の特性に大きく影響を与えていた。【解決手段】 上記問題を解決するために、本発明のIII-V族窒化物半導体発光素子は、Mg、Znを含有しない膜厚1μm以上のIII-V族窒化物層上に、MgもしくはZnドープIII-V族窒化物層を有し、前記MgもしくはZnドープIII-V族窒化物層上に発光素子構造を有することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
Mg、Znを含有しない膜厚1μm以上のIII-V族窒化物層上に、MgもしくはZnドープIII-V族窒化物層を有し、前記MgもしくはZnドープIII-V族窒化物層上に発光素子構造を有することを特徴とするIII-V族窒化物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673
F-Term (10)：
5F041AA41 ,  5F041CA34 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA62 ,  5F041CA67 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB13 ,  5F073DA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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