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J-GLOBAL ID：200903069292696898

有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
中川 政俊

About 中川 政俊

, 
花戸 宏之

About 花戸 宏之

, 
田村 壽宏

About 田村 壽宏


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004085421
Publication number (International publication number)：2004311979
Application date： Mar. 23, 2004
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：
【課題】 有機薄膜を用いた場合においても、オフ電流を抑制して、高性能及び高信頼性を有することができる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 基板と、式 R-SiX1X2X3 (I)(式中、Rは、末端に官能基が置換されていてもよいπ電子共役系のユニットが結合してなる有機残基であり、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である。)で表されるケイ素化合物の単分子膜又は累積膜からなる有機薄膜と、該有機薄膜の一表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側であって、前記有機薄膜の一表面又は他表面に接触して形成されたソース/ドレイン電極とを備えた有機薄膜トランジスタにより上記課題を解決する。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
基板と、 式 R-SiX1X2X3 (I) (式中、Rは、末端に官能基が置換されていてもよいπ電子共役系のユニットが結合してなる有機残基であり、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である。) で表されるケイ素化合物の単分子膜又は累積膜からなる有機薄膜と、 該有機薄膜の一表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 該ゲート電極の両側であって、前記有機薄膜の一表面又は他表面に接触して形成されたソース/ドレイン電極とを備えた有機薄膜トランジスタ。
IPC (4)：
H01L29/786 ,  H01L21/312 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00
FI (5)：
H01L29/78 618B ,  H01L21/312 C ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28
F-Term (34)：
5F058AA10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA16 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 特許第2889768号公報
  • 特公平6-27140号公報
  • 特許第2507153号公報
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Cited by examiner (4)
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