Pat
J-GLOBAL ID:200903069305643578
カーボンナノチューブ複合材相互接続ビアを用いた集積回路チップ
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (4):
上野 剛史
, 太佐 種一
, 市位 嘉宏
, 坂口 博
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2007500212
Publication number (International publication number):2007525030
Application date: Feb. 23, 2005
Publication date: Aug. 30, 2007
Summary:
【課題】 カーボンナノチューブを用いて集積回路の導電性パスを形成することによって、好結果のデバイスを設計する。【解決手段】 集積回路の導電体パスが、銅であることが好ましい導電性金属に埋設された複数の画一的なカーボンナノチューブを用いて形成される。導電体パスは、導電体層の間に延びるビアを含むことが好ましい。複合材ビアは、導電体上のビアが作られる位置に金属触媒パッドを形成するステップと、誘電体層を堆積しエッチングして空洞部を形成するステップと、空洞部内の触媒の上に実質的に平行なカーボンナノチューブを成長させるステップと、残された空洞部内の空隙を銅で埋めるステップによって形成されることが好ましい。次に、ビア・ホールの上に導電体層が形成される。【選択図】 図10
Claim (excerpt):
基板上に形成された複数の能動デバイスと、前記複数の能動デバイスに対する電気的接続を行うための1つ又はそれ以上の導電体層内の複数の導電体と、複数の導電体ビアと、を備え、前記ビアの各々が、第1導電体層のそれぞれの内の第1導電体のそれぞれを、(a)それぞれが誘電体層によって前記各第1導電体層から分離されている、第2導電体層のそれぞれの内の第2導電体のそれぞれと、(b)前記基板上に形成され、誘電体層によって前記第1導電体層のそれぞれから分離された前記複数の能動デバイスのそれぞれの能動デバイスと、からなる組のうちの少なくとも1つに電気的に接続しており、前記導電体ビアの各々が、導電性金属の中に埋設された複数のカーボンナノチューブを備える、集積回路チップ。
IPC (2):
FI (2):
H01L21/90 A
, H01L29/06 601N
F-Term (47):
4G146AA11
, 4G146AD28
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BC08
, 4G146BC33B
, 4G146BC37B
, 4G146BC42
, 4G146BC44
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH18
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033JJ08
, 5F033JJ11
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ32
, 5F033JJ33
, 5F033JJ36
, 5F033KK08
, 5F033KK11
, 5F033KK18
, 5F033KK32
, 5F033KK33
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033MM08
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN01
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP06
, 5F033PP14
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033PP33
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ13
, 5F033QQ48
, 5F033RR06
, 5F033RR11
, 5F033XX05
, 5F033XX14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
半導体装置、及びその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-263486
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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カーボンナノチューブからなる電気的に導電性の接続を有する電子部品とその製造方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2001-560448
Applicant:インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
-
半導体装置、及びその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-312684
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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