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J-GLOBAL ID：200903069525531029

面発光型半導体レーザ

Inventor： 植木 伸明 ,  坂本 朗 ,  吉川 昌宏 ,  中山 秀生 ,  乙間 広己
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001255915
Publication number (International publication number)：2002208755
Application date： Aug. 27, 2001
Publication date： Jul. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】製造が容易で、高輝度基本横モード光出力を有する面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体基板1と、半導体基板1上に順次積層された下部n型DBR層3、活性層領域4、及び上部p型DBR層6と、上部p型DBR層6の上層であってレーザ光の出射領域を形成する開口部27が穿設された上部電極としてのp側電極8と、酸化領域として形成された電流狭窄部24と、を備えた面発光型半導体レーザにおいて、p側電極8に対応する領域の共振器の反射率に基づいて、レーザ光の高次横モードにおける共振器の光学損失とレーザ光の基本横モードにおける共振器の光学損失との差が大きくなるように、開口部27の開口径(Wmetal)及び電流狭窄部24の開口径(Woxide)を決定する。

Claim (excerpt)：

下部多層膜反射鏡、活性層領域、及び前記下部多層膜反射鏡と共に共振器を構成する上部多層膜反射鏡が順次積層された半導体基板と、該上部多層膜反射鏡の上層に設けられ、且つ前記活性層領域で発生したレーザ光の出射領域を形成する開口部が穿設された上部電極と、前記上部電極と前記下部多層膜反射鏡との間に設けられ、電流流路の周縁部を絶縁化して形成された電流狭窄部と、を備え、前記上部電極に対応する領域の共振器の反射率に基づいて、レーザ光の高次横モードにおける共振器の光学損失とレーザ光の基本横モードにおける共振器の光学損失との差が大きくなるように、上部電極の開口部径及び電流狭窄部の開口部径を定めたことを特徴とする面発光型半導体レーザ。

F-Term (6)：

5F073AA61 ,  5F073AB17 ,  5F073CB22 ,  5F073EA16 ,  5F073EA18 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 面発光型半導体レーザ素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-149270   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 表面発光型半導体レーザ、及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-079670   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 面発光レーザおよび面発光レーザアレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-190701   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 面発光レーザの製造方法及び該方法により製造された面発光レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-182511   Applicant：日本電気株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Transverse Mode Control of Vertical-Cavity Top-Surface-Emitting Laser