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J-GLOBAL ID：200903003429969810
表面発光型半導体レーザ、及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999079670
Publication number (International publication number)：2000277852
Application date： Mar. 24, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：
【要約】【課題】 横モードが安定しており、しかも、しきい値電流が低く、高出力であり、製造方法が容易で再現性が高い表面発光型半導体レーザ、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 第1ミラー反射率調整層(位相調整層兼電流ブロック層)8が、基板水平面内にコンタクト層7を露出させる開口部11を有する層であり、第2ミラー反射率調整層(位相調整層兼電極層)9が、開口部のコンタクト層上の少なくとも一部、及び第1ミラー反射率調整層上の少なくと一部に積層されてなり、コンタクト層7と第1ミラー反射率調整層8とが、異なる導電型を有することを特徴とする表面発光型半導体レーザである。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、下部半導体多層反射膜、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層、上部半導体多層反射膜、コンタクト層、第1ミラー反射率調整層、及び第2ミラー反射率調整層を有する表面発光型半導体レーザであって、第1ミラー反射率調整層が、基板水平面内にコンタクト層を露出させる開口部を有する層であり、第2ミラー反射率調整層が、開口部のコンタクト層上の少なくとも一部、及び第1ミラー反射率調整層上の少なくと一部に積層されてなり、コンタクト層と第1ミラー反射率調整層とが、異なる導電型を有することを特徴とする表面発光型半導体レーザ。
F-Term (8)：
5F073AA51
, 5F073AA73
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CA05
, 5F073CB10
, 5F073DA27
, 5F073EA23
Cited by examiner (11)
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