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J-GLOBAL ID：200903092600276872

面発光型半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor： 櫻井 淳 ,  中山 秀生 ,  乙間 広己 ,  宮本 育昌
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998149270
Publication number (International publication number)：1999340565
Application date： May. 29, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 寿命が長く、光出力特性が均一な面発光型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板12の第1主面上に形成された第1導電型の下部DBR16上に形成された、活性領域24、最下層にAlAs層32を含む第2導電型の上部DBR26、及びp型のGaAsコンタクト層28を含むメサ構造の上面の縁部及び側面を無機絶縁膜であるシリコン酸窒化膜34で覆う。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板の第1主面上に形成された第1導電型の分布帰還型多層反射膜と、前記反射膜上に形成された活性領域と、前記活性領域上に形成された第2導電型の分布帰還型多層反射膜と、前記活性領域に近接した少なくとも1層のAlAs層の一部を酸化したコントロール層とを有し、少なくとも前記第2導電型の分布帰還型多層反射膜の上部から前記コントロール層までを含むメサ構造が形成された面発光型半導体レーザ素子において、無機絶縁膜が前記メサ構造の上面の縁部及び側面を覆うように積層されていることを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 面発光半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-095375   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 横方向電流注入型面発光半導体レーザ装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-012017   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 波長多重面型発光素子の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-002455   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体レーザアレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-245297   Applicant：株式会社東芝
• 半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-242275   Applicant：富士通株式会社