強誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに強誘電体メモリ装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000394958
Publication number (International publication number)：2002198496
Application date： Dec. 26, 2000
Publication date： Jul. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】優れた特性を有するシード層の形成を含む強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体キャパシタおよび強誘電体メモリ装置を提供する。【解決手段】第1電極20、強誘電体膜30および第2電極22が積層された強誘電体キャパシタの製造方法であって、少なくとも強誘電体膜の材料が堆積される領域に、あらかじめ機能性薄膜(自己組織化膜32a)が形成される工程を含む。機能性薄膜の形成工程は、前記領域に、化学吸着により分子を自己集積的に供給する成膜工程を有する。機能性薄膜32aは、強誘電体膜30aの成膜においてシード層として機能する。

Claim (excerpt)：

第1電極、強誘電体膜および第2電極が積層された強誘電体キャパシタの製造方法であって、少なくとも前記強誘電体膜の材料が堆積される領域に、あらかじめ機能性薄膜が形成される工程を含み、前記機能性薄膜の形成工程は、前記領域に、化学吸着により物質を自己集積的に堆積する成膜工程を有する、強誘電体キャパシタの製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/105 , H01L 21/316 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6)：

H01L 21/316 B , H01L 27/10 444 C , H01L 27/10 444 A , H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 444 Z , H01L 29/78 371

F-Term (25)：

5F001AA17 , 5F001AD12 , 5F001AD33 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BE10 , 5F058BF02 , 5F058BF06 , 5F058BF11 , 5F058BF12 , 5F058BF41 , 5F058BF46 , 5F083FR01 , 5F083FR02 , 5F083FR07 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F083JA44 , 5F083PR21 , 5F101BA62 , 5F101BD02 , 5F101BD20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

強誘電体膜の製造方法及びそれを用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-333827 Applicant：シャープ株式会社
強誘電性キャパシタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-061414 Applicant：三星電子株式会社
Bi層状強誘電体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-281531 Applicant：日本電気株式会社, シンメトリクスコーポレーション

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