強誘電体薄膜およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大垣孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998001281
Publication number (International publication number)：1999195765
Application date： Jan. 07, 1998
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】膜の膜厚方向に粒界のない緻密な強誘電体薄膜。【解決手段】焼成済みの積層体10を以て構成されていて、この積層体は、Biシード層11と、このBiシード層11と接して設けられているBi含有強誘電体層13とを含む。Bi含有強誘導体層13は、焼成することによってBiシード層11と接している側から結晶化が進んでいく。このため、焼成済みの積層体10は、膜厚方向に単結晶となる。これにより強誘導体薄膜は、膜厚方向に粒界がなく緻密な膜として得られる。

Claim (excerpt)：

焼成済みの積層体を以て構成されていて、該積層体は、Biシード層と、該Biシード層と接して設けられているBi含有強誘電体層とを含むことを特徴とする強誘電体薄膜。

IPC (8)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , C01G 29/00 , H01B 3/12 318 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5)：

H01L 27/10 651 , C01G 29/00 , H01B 3/12 318 G , H01L 27/10 451 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

強誘電体結晶薄膜の製造方法及び強誘電体キャパシタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-098486 Applicant：シャープ株式会社
強誘電体薄膜素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-002712 Applicant：シャープ株式会社
薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-254938 Applicant：三洋電機株式会社

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