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J-GLOBAL ID:200903069697234263

有機トランジスタ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008288978
Publication number (International publication number):2009141338
Application date: Nov. 11, 2008
Publication date: Jun. 25, 2009
Summary:
【課題】高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。 X-Y (1)(式中、Xは置換または未置換のチエノベンゾチエニル基、置換または未置換のナフトチエノチエニル基、置換または未置換のアントラ[2,3-b]チエニル基、あるいは置換または未置換のベンゾチエノベンゾチエニル基を表し、Yは置換または未置換のチエノベンゾチエニル基、置換または未置換のナフトチエノチエニル基、置換または未置換のアントラ[2,3-b]チエニル基、置換または未置換のベンゾチエノベンゾチエニル基、あるいは置換または未置換のフェナレノ[1,9-bc]チエニル基を表す)【選択図】 なし
Claim (excerpt):
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。 X-Y (1) (式中、 Xは置換または未置換のチエノベンゾチエニル基、置換または未置換のナフトチエノチエニル基、置換または未置換のアントラ[2,3-b]チエニル基、あるいは置換または未置換のベンゾチエノベンゾチエニル基を表し、 Yは置換または未置換のチエノベンゾチエニル基、置換または未置換のナフトチエノチエニル基、置換または未置換のアントラ[2,3-b]チエニル基、置換または未置換のベンゾチエノベンゾチエニル基、あるいは置換または未置換のフェナレノ[1,9-bc]チエニル基を表す)
IPC (3):
H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786
FI (3):
H01L29/28 250H ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618B
F-Term (53):
5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF35 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (3)

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