有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005275402
Publication number (International publication number)：2007088222
Application date： Sep. 22, 2005
Publication date： Apr. 05, 2007
Summary：

【課題】溶剤溶解性が向上した有機半導体材料を提供し、該有機半導体材料を塗布することによって有機半導体膜が形成可能であり、得られた有機半導体膜を用いて、キャリア移動度が高い、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ及び、該デバイスまたは該トランジスタを具備する有機EL素子を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。【化1】【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。

IPC (4)：

H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 29/786

FI (4)：

H01L29/28 250H , H01L29/28 100A , H01L29/28 310J , H01L29/78 618B

F-Term (35)：

4H049VN01 , 4H049VP02 , 4H049VQ62 , 4H049VR24 , 4H049VU25 , 4H049VW02 , 5F110AA01 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN72

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

有機薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-215748 Applicant：旭化成工業株式会社
ポリ(ベンゾジチオフェン)
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-301005 Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
ダイオード素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-316710 Applicant：松下技研株式会社

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Cited by examiner (3)

ポリ(ベンゾジチオフェン)
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-301005 Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
新規なベンゾジカルコゲノフェン誘導体、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-397788 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
モノマー、オリゴマーおよびポリ(3-アルキニルチオフェン)ならびにそれらの電荷移動材料としての使用
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-322784 Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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