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J-GLOBAL ID:200903003111943278

有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ及び有機エレクトロルミネッセンス素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005271711
Publication number (International publication number):2007088016
Application date: Sep. 20, 2005
Publication date: Apr. 05, 2007
Summary:
【課題】 溶剤溶解性が向上した有機半導体材料を提供し、該有機半導体材料を塗布することによって有機半導体膜が形成可能であり、得られた有機半導体膜を用いて、キャリア移動度が高い、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ及び、該デバイスまたは該トランジスタを具備する有機EL素子を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。 【化1】【選択図】 なし
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
IPC (6):
H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 51/50 ,  C09K 11/06
FI (6):
H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  H05B33/14 A ,  C09K11/06 690
F-Term (40):
3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
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