プラズマ処理装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001094275
Publication number (International publication number)：2002299240
Application date： Mar. 28, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】マイクロ波プラズマ処理装置において、被処理基板周辺部でのプラズマ密度の低下を補償する。【解決手段】被処理基板に対面するシャワープレートあるいはプラズマ透過窓の、前記被処理基板に対面する側を凹面形状とする。

Claim (excerpt)：

外壁により画成され、被処理基板を保持する保持台を備えた処理容器と、前記処理容器に結合された排気系と、前記処理容器上に、前記保持台上の被処理基板に対面するように、前記外壁の一部として設けられたマイクロ波透過窓と、前記処理容器中にプラズマガスを供給するプラズマガス供給部と、前記処理容器上に、前記マイクロ波に対応して設けられたマイクロ波アンテナとよりなり、前記マイクロ波透過窓は、前記被処理基板と対面する側の内面が、前記被処理基板表面に一致する平面との間の間隔が、前記マイクロ波透過窓の径方向外側に向って減少する凹面形状を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 , B01J 19/08 , C23C 16/511 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/205 , B01J 19/08 H , C23C 16/511 , H05H 1/46 B , H01L 21/302 B

F-Term (65)：

4G075AA24 , 4G075AA42 , 4G075BC04 , 4G075BC06 , 4G075BD14 , 4G075CA26 , 4G075CA47 , 4G075CA63 , 4G075CA65 , 4G075DA02 , 4G075EA06 , 4G075EB01 , 4G075EC01 , 4G075EC13 , 4G075EC30 , 4G075EE01 , 4G075FB02 , 4G075FB04 , 4G075FC01 , 4K030BA38 , 4K030BA42 , 4K030EA05 , 4K030FA01 , 4K030JA03 , 4K030KA30 , 4K030KA46 , 4K030LA18 , 5F004AA01 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB14 , 5F004BB18 , 5F004BB28 , 5F004BC08 , 5F004BD04 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA04 , 5F004DA05 , 5F004DA11 , 5F004DA12 , 5F004DA13 , 5F004DA14 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA19 , 5F004DA20 , 5F004DA29 , 5F045AA09 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045BB02 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EF04 , 5F045EF05 , 5F045EH02 , 5F045EH03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

誘電体窓を用いたマイクロ波プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-096628 Applicant：キヤノン株式会社
表面処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-257644 Applicant：アネルバ株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-225048 Applicant：株式会社フロンテック, 大見忠弘

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