プラズマ成膜処理方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997284450
Publication number (International publication number)：1999111708
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】基板に対してプラズマにより成膜処理を行うに当たって、基板のパ-ティクル汚染を抑えること。【解決手段】真空容器2内に2.45GHzのマイクロ波を導入すると共に、875ガウス磁界を形成して電子サイクロトロン共鳴により成膜ガスをプラズマ化し、基板であるウエハW上にSiOF膜を成膜する。この際真空容器2の内壁全体の内部に流路31を形成し、ここに温度調整されたガルデンを通流させて、ウエハWを搬入し、成膜し、搬出する一連のプロセスサイクルの間、内壁面の温度を、プラズマが発生しているときに到達する温度T0以上の温度例えば80°Cに制御する。このようにすると、内壁面の温度はプラズマの発生や消失に関係なく一定温度に維持されるので、付着したSiOF膜の熱変形による剥離が抑えられて、ウエハWのパ-ティクル汚染が抑えられる。

Claim (excerpt)：

基板を真空容器内に搬入し、次いで処理ガスをプラズマ化してそのプラズマにより前記基板に対して成膜処理を行い、その後前記基板を真空容器から搬出する一連のプロセスサイクルを所定回数行った後、前記真空容器内に付着している薄膜をクリ-ニングガスにより除去する方法において、前記プロセスサイクル中における真空容器の内壁面の温度を、プラズマが発生しているときに到達する内壁面の温度T0以上のほぼ一定温度により維持することを特徴とするプラズマ成膜処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/31 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/31 C , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H05H 1/46 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

プラズマCVD法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-062537 Applicant：東芝機械株式会社
プラズマ処理装置及び半導体ウエハの成膜加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-210004 Applicant：三菱電機株式会社
処理装置のクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-256507 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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