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J-GLOBAL ID：200903069869341741

ZnO系酸化物半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体発光素子の製法

Inventor： 岩田 拡也 ,  ポール・フォンス ,  山田 昭政 ,  松原 浩司 ,  仁木 栄 ,  中原 健
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  ローム株式会社
Agent (2)： 河村 洌 ,  河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000256729
Publication number (International publication number)：2002076026
Application date： Aug. 28, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ZnO系酸化物半導体層のp形層のキャリア濃度を充分に高くすることができるZnO系酸化物半導体層の成長方法、およびZnO系酸化物の結晶性を向上させて発光特性の優れた半導体発光素子を製造する方法を提供する。【解決手段】 ZnO系酸化物を構成する材料源ZnおよびOと、p形ドーパントであるチッ素をプラズマ化したドーパント源Nとを供給すると共に、ZnO系酸化物を構成する材料源がZnリッチとなるように供給しながらp形ZnO系酸化物半導体層9を基板8上に成長する。

Claim (excerpt)：

ZnO系酸化物を構成する材料源と、p形ドーパントであるチッ素とを供給すると共に、前記ZnO系酸化物を構成する材料源がZnリッチとなるように供給しながらp形ZnO系酸化物半導体層を成長することを特徴とするZnO系酸化物半導体層の成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/365 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/347

FI (4)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/365 ,  H01L 33/00 D ,  H01S 5/347

F-Term (29)：

5F041CA04 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA55 ,  5F041CA66 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA08 ,  5F045AB22 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AD10 ,  5F045CA11 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F073AA74 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA06 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103KK10 ,  5F103LL01 ,  5F103NN05 ,  5F103PP11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-351051   Applicant：スタンレー電気株式会社
• P型ドーパントを含有する酸化亜鉛膜およびその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-564239   Applicant：ザ・キュレーターズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミズーリ

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Growth of p-type Zinc Oxide Films by Chemical Vapor Deposition