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J-GLOBAL ID：200903069900305384

原子層堆積中の寄生化学気相成長を最小限に抑える装置と方法

Inventor： スネー,オフアー ,  ガリユウスキー,カール
Applicant, Patent owner： ジエヌス・インコーポレイテツド
Agent (1)： 川口 義雄 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001545359
Publication number (International publication number)：2003517731
Application date： Nov. 21, 2000
Publication date： May. 27, 2003
Summary：

【要約】原子層堆積(ALD)および他の連続した化学気相成長(CVD)プロセスなどの、層状堆積において堆積されたフィルムの汚染を回避するための新しい方法および装置が教示され、ALDフィルムのCVD堆積された汚染は、ALDチャンバに入る前に、さもなければ汚染するガス成分を、ガス供給装置の壁要素上に効果的に堆積させる、予備反応チャンバの使用によって防止される。

Claim (excerpt)：

(a)ガスソースとコーティングすべき基板との間に予備反応チャンバを設置するステップ、および (b)加熱された表面上にCVD反応によって汚染物質元素を堆積させるのに十分な温度まで、予備反応チャンバ内の表面を加熱するステップを含む、原子層堆積プロセス間の寄生化学気相成長を最小限に抑えるための方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/452 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/285

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/452 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/285 C

F-Term (35)：

4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA12 ,  4K030BA13 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA21 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030EA01 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  5F045AA04 ,  5F045AA15 ,  5F045BB04 ,  5F045EE10 ,  5F045EE19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 金属薄膜の形成方法および金属薄膜の形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-237054   Applicant：株式会社東芝
• CVD装置及びかかる装置を用いた薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-331575   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体結晶成長装置および成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-357847   Applicant：日本電気株式会社
• 化学気相成長による金属薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-182518   Applicant：新日本製鐵株式会社
• プラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-151245   Applicant：国際電気株式会社