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J-GLOBAL ID:200903069925806574
レジストの基板依存性改善剤
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998134343
Publication number (International publication number):1999044950
Application date: Apr. 28, 1998
Publication date: Feb. 16, 1999
Summary:
【要約】【課題】半導体素子等の製造に於て用いられるレジスト組成物の構成成分として有用な基板依存性改善剤の提供。【解決手段】-NH-の少なくとも一方の結合手が-C(=O)-、-C(=S)-及び-SO2-から選ばれた少なくとも1つと直接結合した構造を分子内に少なくとも1つ有する化合物を含んで成るレジストの基板依存性改善剤。
Claim (excerpt):
-NH-の少なくとも一方の結合手が-C(=O)-、-C(=S)-及び-SO2-から選ばれた少なくとも1つと直接結合した構造を分子内に少なくとも1つ有する化合物を含んで成るレジストの基板依存性改善剤。
IPC (5):
G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/038 601
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
FI (5):
G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/038 601
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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ポジ型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-305113
Applicant:東京応化工業株式会社
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化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-188461
Applicant:信越化学工業株式会社
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化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-110395
Applicant:信越化学工業株式会社
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