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J-GLOBAL ID：200903005157121682

化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor：
渡辺 聡

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渡辺 修

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降▲旗▼ 智欣

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名倉 茂広

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石原 俊信

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山岡 亜夫

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Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

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Agent (1)： 小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997110395
Publication number (International publication number)：1998207066
Application date： Apr. 11, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：
【要約】 (修正有)【解決手段】 (A):有機溶剤(B):ベース樹脂として1種又は2種以上の酸不安定基を有する高分子化合物が更に分子内及び/又は分子間でC-O-C基を有する架橋基により架橋されている重量平均分子量が1,000〜500,000の高分子化合物(C):酸発生剤(D):塩基性化合物(E):分子内に≡C-COOHで示される基を有する芳香族化合物を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【効果】 化学増幅ポジ型レジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性、再現性にも優れている。また、パターンがオーバーハング状になりにくく、寸法制御性に優れている。更に、アセチレンアルコール誘導体の配合により保存安定性が向上する。
Claim (excerpt)：
(A):有機溶剤(B):ベース樹脂として1種又は2種以上の酸不安定基を有する高分子化合物が更に分子内及び/又は分子間でC-O-C基を有する架橋基により架橋されている重量平均分子量が1,000〜500,000の高分子化合物(C):酸発生剤(D):塩基性化合物(E):分子内に≡C-COOHで示される基を有する芳香族化合物を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
IPC (9)：
G03F 7/039 501 ,  C08F 8/00 ,  C08F112/14 ,  C08K 5/13 ,  C08K 5/17 ,  C08K 5/34 ,  C08K 5/42 ,  C08L 25/18 ,  H01L 21/027
FI (9)：
G03F 7/039 501 ,  C08F 8/00 ,  C08F112/14 ,  C08K 5/13 ,  C08K 5/17 ,  C08K 5/34 ,  C08K 5/42 ,  C08L 25/18 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
  • 橋かけポリマー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-330237   Applicant：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
  • 架橋されたポリマー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-098487   Applicant：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
  • パターン形成用レジストおよびパターン形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-100310   Applicant：株式会社東芝
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