化学増幅ポジ型レジスト材料

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996188461
Publication number (International publication number)：1998020504
Application date： Jun. 28, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】 (A)有機溶剤、(B)ベース樹脂として式(1)で示される重量平均分子量が3,000〜300,000である高分子化合物、(C)酸発生剤、(D)分子内に≡C-COOHで示される基を有する芳香族化合物を含有してなる化学増幅ポジ型レジスト材料。【効果】化学増幅ポジ型レジスト材料として高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザー及びX線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかも窒化膜基板上での裾引き及びPEDの改善効果にも優れている。

Claim (excerpt)：

(A)有機溶剤(B)ベース樹脂として下記一般式(1)で示される重量平均分子量が3,000〜300,000である高分子化合物【化1】【化2】(C)酸発生剤(D)分子内に≡C-COOHで示される基を有する芳香族化合物を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。

IPC (5)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/033 , H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/033 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-115307 Applicant：信越化学工業株式会社
レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-115308 Applicant：信越化学工業株式会社
パターン形成用レジストおよびパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-100310 Applicant：株式会社東芝

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