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J-GLOBAL ID:200903069933204168

プラズマプロセス装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 伊東 忠彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002370897
Publication number (International publication number):2003188157
Application date: Mar. 03, 2000
Publication date: Jul. 04, 2003
Summary:
【要約】【課題】 本発明は被処理物である基板に成膜、ドライエッチングなどのプラズマプロセスを行うプラズマプロセス用装置に関し、ステージ冷却機構の小型化及び低コスト化を図ることを課題とする。【解決手段】 プラズマプロセス用装置において、容器の内部に被処理物を載せる導電性のステージ301を設け、このステージ301に直流電圧もしくは高周波を印加できる構造を設け、ステージ301の内部には高熱電導性金属により形成されており被処理物を冷却するための冷却媒体流路303を設け、前記ステージ301とこの冷却媒体流路303との間に、ステージ301の熱を冷却媒体に伝えるために熱伝導度が高く、かつステージ301に印加した直流電圧もしくは高周波を冷却媒体に伝えないよう電気絶縁性が高い高熱伝導率絶縁材料304を設ける。
Claim (excerpt):
プラズマを励起させるために必要な原料ガスを供給するガス供給システムと、それを排気し容器内を減圧にするための排気システムを有し、その容器内においてプラズマを励起させ、前記プラズマ中で被処理物の処理を行うように構成されたプラズマプロセス用装置において、前容器の内部に被処理物を載せる導電性のステージが設けてあり、前記ステージには直流電圧もしくは高周波を印加できる構造が設けられており、前記ステージの内部には、高熱電導性金属により形成されており、前記被処理物を冷却するための冷却媒体流路が設けられており、前記ステージと前記冷却媒体流路との間に、前記ステージの熱を前記冷却媒体に伝えるために熱伝導度が高く、前記ステージに印加した直流電圧もしくは高周波を前記冷却媒体に伝えないように電気絶縁性が高い高熱伝導率絶縁材料を設けたことを特徴とするプラズマプロセス用装置。
IPC (4):
H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/503 ,  H01L 21/31
FI (4):
C23C 16/44 B ,  C23C 16/503 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 101 G
F-Term (22):
4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030KA26 ,  4K030KA28 ,  4K030KA30 ,  4K030KA45 ,  4K030KA46 ,  4K030LA11 ,  5F004AA16 ,  5F004BB25 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045EJ03 ,  5F045EJ09 ,  5F045EM02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (6)
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