Pat

J-GLOBAL ID：200903069935111566

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 高木 英雄 ,  井上 憲一 ,  遠田 孝之 ,  細田 勉 ,  中村 友二 ,  アンソニー・ホッブス ,  水谷 寛
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
Agent (1)： 有我 軍一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995049533
Publication number (International publication number)：1996250452
Application date： Mar. 09, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 配線層を構成するAl,W等がTiN膜を通してSi基板中に拡散することを生じ難くし拡散層による接合部の破壊を抑えて、素子特性の劣化を抑えることができる。【構成】 (111)に配向した窒化チタン膜よりも密度が大きい(111)配向と(111)配向以外の配向性とを有する窒化チタン膜を有する。

Claim (excerpt)：

(111)配向と(111)配向以外の配向性とを有し、(111)に配向した窒化チタン膜よりも密度が大きい窒化チタン膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/285 S ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 集積回路の配線形成方法および集積回路の配線構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-162581   Applicant：日立金属株式会社
• 特開平4-256313
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-068779   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 配線構造およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-069199   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-190119   Applicant：ソニー株式会社
• アスペクト比の高い開口に於ける導体の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-088645   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション